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| 페이스트 |
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세라믹 캐패시터용 페이스트(PASTE)
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제품 자세히 보기
적층칩 캐패시터용 Paste
1. 내부전극
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제품코드
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조성
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고형분함량
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작업조건
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특징
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SP-1203
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7Ag3Pd+ZrO
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51~54wt%
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최대1,100℃-2시간
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For COG(PME)
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SP-1203D
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7Ag3Pd+ZrO
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51~54wt%
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최대1,100℃-2시간
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For COG(PME)
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N-1203AZ
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Ni+BTZ
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54~56wt%
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최대1,350℃-2시간
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For Y5V(BME)
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N-1253A
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Ni+BT
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54~56wt%
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최대1,350℃-2시간
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For X7R(BME)
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2. 외부전극
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제품코드
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조성
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고형분함량
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작업조건
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특징
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S-1220
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Ag
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77~79wt%
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710~730℃
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Lead free
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S-2200
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Ag
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77~79wt%
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120~200℃,80mins
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Curing Type Paste
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C-1220
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Cu
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75~77wt%
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890~9100℃,5~10mins
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For X7R(BME)
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C-1240
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Cu
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75~77wt%
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890~9100℃,5~10mins
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For Y5V(BME)
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3. 원판형 캐패시터용 Paste
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제품코드
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조성
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고형분함량
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작업조건
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특징
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S-3400
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Ag
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53~54wt%
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780~820℃
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Good Hermeticity
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S-3410
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Ag
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79~85wt%
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780~820℃
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Good Hermeticity
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4. 고전압(High
Voltage) 캐패시터용 Paste
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제품코드
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조성
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고형분함량
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작업조건
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특징
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S-3440LF
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Ag
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83~86wt%
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750~800℃
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Lead free
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